发明名称 内置半导体IC模块及其制造方法
摘要 提供一种内置半导体IC模块,使用电极节距非常窄的半导体IC来构成内置半导体IC模块。该内置半导体IC模块包括:树脂层(140、150);贯通树脂层(140、150)设置的柱电极(120);以及为埋入在树脂层(140)和树脂层(150)之间而被固定的、通过研磨而薄膜化的半导体IC(130)。在本发明中,由于在将设置于半导体IC(130)中的柱状凸起(132)相对于柱电极(120)进行定位,所以柱状凸起(132)的平面位置实质上被固定,因此,可使用100μm以下、特别是60μm左右的电极节距非常窄的半导体IC。
申请公布号 CN1578601A 申请公布日期 2005.02.09
申请号 CN200410055709.8 申请日期 2004.07.30
申请人 TDK株式会社 发明人 高谷稔;阿部寿之;铃木圭;高野弘介;川田贤一;远藤敏一
分类号 H05K3/46;H05K3/32;H05K1/16;H05K1/11 主分类号 H05K3/46
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 胡建新
主权项 1.一种内置半导体IC模块,其特征在于包括:第一树脂层、第二树脂层、至少被埋入所述第一和第二树脂层内的柱电极、以及以被埋入所述第一树脂层和所述第二树脂层之间的方式固定的半导体IC;在所述半导体IC的焊接电极上设置柱状凸起,所述柱状凸起相对于所述柱电极被定位。
地址 日本东京都