电容装置及其制造方法

摘要

本发明揭示一种形成于半导体基底上的去耦合电容装置。上述半导体基底包括一应变硅层；一实质上为平面的下电极形成于部分应变硅层中以及一电容介电层形成于下电极上；一实质上为平面的上电极形成于电容介电层之上；上述上电极连接至第一参考电压线，以及下电极连接至第二参考电压线。

主权项

1.一种电容装置，包括：一应变半导体层；一下电极，形成于部分应变该半导体层内；一电容介电层，位于该下电极之上；一上电极，位于该电容介电层之上；以及至少一下电极接触区域，形成于邻近该下电极的应变半导体层内，该至少一下电极接触区域被掺杂成第一型导体，其中该下电极操作上是第一型导体形式。