反熔丝型存储器组件的结构与制造方法

摘要

本发明公开了一种反熔丝型存储器组件的结构与制造方法，包括下列步骤：首先，提供一基板并形成一金属层于该基板上。其后，形成一硅层于该金属层上并使该金属层与部分该硅层反应以形成一金属硅化物层且未被反应的硅层做为第一型导电层。接下来，形成一反熔丝层于该第一型导电层上。图形化该第一型导电层、金属硅化物层、反熔丝层以形成字符线并形成一第二型导电层于该反熔丝层上，最后图形化该第二型导电层以形成位线。本发明可以减少多晶硅的沉积步骤，以简化形成金属硅化物的制程，缩减制程时间，减低制造成本及减少传导层的总体阻质。

主权项

1.一种反熔丝型存储器组件的制造方法，包括下列步骤：提供一基板；形成一黏合层于该基板上；形成一金属层于该黏合层上；形成一硅层于该金属层上；使该金属层及部分该黏合层与部分该硅层反应以形成一金属硅化物层且未被反应的硅层做为第一型导电层；形成一反熔丝层于该第一型导电层上；图形化该第一型导电层、金属硅化物层、反熔丝层以形成字符线；形成一第二型导电层于该反熔丝层上；以及图形化该第二型导电层以形成位线。