制造半导体装置的电容器的方法

摘要

本发明涉及一种制造半导体装置的电容器的方法。所述半导体装置包括：形成于一基板上并含有多个堆叠的位线、一硬掩模及一间隔物的位线结构，该间隔物沿着包含该位线与该硬掩模的外形而形成；沉积在该位线结构的整个表面上的第一层间绝缘层；通过穿过该层间绝缘层而形成在基板上的并部分被蚀刻的一存储节点接触塞；形成在该存储节点接触塞与该第一层间绝缘层的一部分上的第二层间绝缘层；及圆形下电极，形成在该第二层间绝缘层、该第一层间绝缘层的暴露部分及该存储节点接触塞的蚀刻部分的横侧面上，其中该下电极至少和该蚀刻部分的预设的横侧面电接触。

主权项

1.一种半导体装置，包括：位线结构，形成于一基板上，且包括多个堆叠的位线，一硬掩模及一间隔物，该间隔物沿着含有该位线与该硬掩模的外形而形成；第一层间绝缘层，沉积在该位线结构的整个表面上；存储节点接触塞，穿过该层间绝缘层而形成在该基板上，并具有蚀刻的部分；第二层间绝缘层，形成在该存储节点接触塞与该第一层间绝缘层的一部分上；及圆形下电极，形成在该第二层间绝缘层、该第一层间绝缘层的暴露部分及该存储节点接触塞的蚀刻部分的横侧面上，其中该下电极至少和该蚀刻部分的预设的横侧面电接触。