半导体发光元件的制造方法

摘要

本发明的半导体发光元件的制造方法包括：在基板(21)的主表面上生长第一氮化物系III－V族化合物半导体层(22)的工序；在第一氮化物系III－V族化合物半导体层上以在宽度方向上规定的周期重复的方式形成具有不同宽度的第一幅度部和第二幅度部的条纹状的掩膜(23)的工序；为覆盖在掩膜和第一氮化物系III－V族化合物半导体层的表面的掩膜之间露出的部分而从该露出部分选择性生长第二氮化物系III－V族化合物半导体层(25)的工序；以及在第二氮化物系III－V族化合物半导体层上实质上叠层包括在掩膜的延长方向上延长的有源层的半导体激光器结构(26～33)，由此，在掩膜的第一幅度部(条纹1)和第二幅度部(条纹2)的边界上的部位中获得具有对应于第一幅度部和第二幅度部的宽度差的叠层段差(301)的半导体激光器结构的工序。

主权项

1.一种半导体发光元件的制造方法，其特征在于，包括：工序A，在第一氮化物系III-V族化合物半导体层上，以在宽度方向上规定的周期重复的方式形成具有规定宽度的第一幅度部和相邻该第一幅度部的比所述规定宽度宽的第二幅度部的条纹状的掩膜；工序B，为了覆盖在所述掩膜和所述第一氮化物系III-V族化合物半导体层的表面的该掩膜之间露出的部分，从该露出部分选择性地生长第二氮化物系III-V族化合物半导体层；以及工序C，通过将实质上包含在所述掩膜的条纹方向上延长的有源层同时位于所述第二幅度部上方的部分低于位于所述第一幅度部下方的部分，将具有在宽度方向上延长的段差的半导体激光器结构叠层在所述第二氮化物系III-V族化合物半导体层上。