发明名称 |
使用激光的半导体晶片分割方法 |
摘要 |
一种通过使用激光束沿切割道充分精确地分割半导体晶片的方法,同时完全避免或抑制在半导体晶片正面上的矩形区域中形成的电路变脏,而不使正面上的矩形区域产生缺口。从半导体基底的背面和正面的其中之一的旁边应用激光束,并将激光束聚焦于半导体基底的背面和正面的另一个上或其附近,部分损坏从半导体基底的背面和正面的另一个延伸到预定深度的至少一个区域。 |
申请公布号 |
CN1577726A |
申请公布日期 |
2005.02.09 |
申请号 |
CN200410062012.3 |
申请日期 |
2004.06.28 |
申请人 |
株式会社迪斯科 |
发明人 |
永井祐介;小林贤史 |
分类号 |
H01L21/00;H01L21/78;H01L21/304;B23K26/00 |
主分类号 |
H01L21/00 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
肖春京 |
主权项 |
1.一种用于沿切割道分割半导体晶片的分割方法,所述半导体晶片由半导体基底构成,通过以网格形图案设置的多条切割道在所述半导体基底的正面上划分多个矩形区域,且在所述矩形区域的每个中形成电路,所述分割方法包括:从所述半导体基底的背面和正面的其中之一的旁边应用激光束,并将所述激光束聚焦于所述半导体基底的背面和正面的另一个上或其附近,用来部分损坏从所述半导体基底的背面和正面的所述另一个延伸到预定深度的至少一个区域;使所述半导体基底和所述激光束沿所述切割道相对移动;以及将外力施加到所述半导体基底上,用来沿所述切割道分开所述半导体基底。 |
地址 |
日本东京都 |