发明名称 强化抗腐蚀的制程组件
摘要 一种抗等离子体腐蚀的制程组件,其可以维持等离子体性质的空间均匀性、减少腔室中粒子的产生以及提高制程组件的寿命。一聚合物材料层覆盖住制程组件的上表面。而且此聚合物材料层是氟碳化物且不会与等离子体中的物质反应。此聚合物材料层不仅可保护制程组件免于累进的腐蚀,而且还可以避免腔室中粒子的产生。此聚合物材料层的介电常数系与制程组件的介电常数相似,因此可以维持靠近晶圆周围的等离子体性质的空间均匀性,其例如是蚀刻率。此膜层的厚度是控制在0.5至1.5mm之间,以使此膜层与制程组件之间的热膨胀系数的差异不会使得此膜层由制程组件的上表面剥离下来。
申请公布号 CN1577765A 申请公布日期 2005.02.09
申请号 CN200410058951.0 申请日期 2004.07.23
申请人 应用材料有限公司 发明人 珍妮弗·Y·桑;亚娜达·H·库玛;太许山恩
分类号 H01L21/3065 主分类号 H01L21/3065
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 胡晶;王学强
主权项 1.一种制程组件,其用以增进一等离子体蚀刻反应室内的抗腐蚀性,其特征在于,包括:一环状物,围绕于一半导体晶圆的周围;以及一聚合物材料层,至少覆盖该环状物的表面。
地址 美国加州