| 发明名称 | 电容器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种电容器及其制造方法，其结构包括：一绝缘层，覆盖于一基材上；一半导体层，覆盖于绝缘层上；一下电极，形成于部分的半导体层内；一电容介电层，覆盖于下电极上，其中电容介电层包含具有介电常数大于5的高介电常数介电材料；以及一上电极，覆盖于电容介电层上。 | ||
| 申请公布号 | CN1577866A | 申请公布日期 | 2005.02.09 |
| 申请号 | CN200410070949.5 | 申请日期 | 2004.07.16 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 杨育佳;胡正明 |
| 分类号 | H01L27/105;H01L27/00;H01L21/8239;H01L21/762;H01L21/00 | 主分类号 | H01L27/105 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
| 主权项 | 1.一种电容器，包括：一绝缘层，覆盖于一基材上；一半导体层，覆盖于该绝缘层上；一下电极，形成于部分的该半导体层内；一电容介电层，覆盖于该下电极上，其中该电容介电层包含具有介电常数大于5的高介电常数介电材料；以及一上电极，覆盖于该电容介电层上。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||