| 发明名称 | 半导体装置的制造方法及半导体衬底 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置的制造方法。是以在不得不缩小精细化了的热预算的制造工序中，形成覆盖硅晶片防止金属污染的除气点，以及在形成的除气点确实可以捕获金属杂质为目的。作为对硅半导体衬底进行最初的热处理，即进行了作为第1热处理的650℃～750℃的温度下持续30分钟～240分钟的热处理，其后的第2热处理的900℃～1100℃的温度下持续30分钟～120分钟的热处理。还有，作使第3次热处理，在形成栅极绝缘膜之前,进行升温温度为8℃/min加热到1000℃的,在1000℃的加热温度下持续30分钟的热处理。 | ||
| 申请公布号 | CN1577770A | 申请公布日期 | 2005.02.09 |
| 申请号 | CN200410059242.4 | 申请日期 | 2004.06.14 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 米田健司 |
| 分类号 | H01L21/324;H01L21/336;H01L21/8238 | 主分类号 | H01L21/324 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，其特征为：包括：在制造工序接受了硅半导体衬底后，对上述半导体衬底进行最初的热处理，进行650℃～750℃的温度下持续30分钟～240分钟的第1热处理的第1工序；以及上述第1工序之后，进行900℃～1100℃的温度下持续30分钟～120分钟的第2热处理的第2工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||