发明名称 半导体器件
摘要 本发明的半导体器件包括半导体衬底和形成在半导体衬底上且能够在预定电流流经时断开的导电元件,其中导电元件转向多次。
申请公布号 CN1577831A 申请公布日期 2005.02.09
申请号 CN200410062043.9 申请日期 2004.06.28
申请人 恩益禧电子股份有限公司 发明人 上田岳洋
分类号 H01L23/525;H01L27/10;H01L27/04;H01L21/768;H01L21/822 主分类号 H01L23/525
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 穆德骏;陆弋
主权项 1、一种半导体器件,包括:半导体衬底;和形成在所述衬底上且能够当预定电流流经时断开的导电元件,其中所述导电元件转向多次。
地址 日本神奈川