储存电容器之埋入式带接触及其制造方法

摘要

在一存储单元的沟槽电容器及后续形成的该存储单元的选择晶体管间的一埋入式带接触以此种方式被制造，使得该内部电容器电极层在该沟槽电容器的沟槽内被回蚀及接着该未被覆盖绝缘体层在该沟槽壁被移除以定义该埋入式带接触面积的区域。之后，该内衬层被沉积以覆盖在该沟槽的该内部电容器电极层及该未被覆盖的沟槽壁及因而形成阻挡层。具该内部电极层的材料之间隔物层接着形成于在该沟槽壁的该内衬层。最后，该未被覆盖的内衬层在该内部电极层上方被移除且该沟槽以该内部电极层的材料填充以制造该埋入式带接触。

主权项

1.一种存储单元的储存电容器的埋入式带接触之制造方法，该储存电容器系形成于具围绕在该半导体衬底沟槽下方区域的该外部电极层的该半导体衬底的沟槽，介电体中间层被具体化于该沟槽的沟槽壁的下方区域，绝缘层，其以一种与介电体中间层相邻的方式形成于该沟槽的沟槽壁的上方区域，及内部电极层基本上填充该沟槽，该方法具下列步骤：回蚀该内部电极层进入该沟槽，自该沟槽壁移除该未被覆盖绝缘体层以定义埋入式带接触区域，沉积一内衬层以覆盖在该沟槽的该内部电极层及该未被覆盖的沟槽壁，使用该内部电极层的材料形成间隔物层于在该沟槽壁的该内衬层，该未被覆盖的内衬层自在该沟槽的该内部电极层移除，及使用该内部电极层的材料填充该沟槽。