制造半导体器件的栅电极的方法

摘要

本发明揭示了一种于惰性气体或氮气环境中施行选择性氧化处理来制造用于半导体器件的加强的钨栅电极的方法。本发明的方法包含下列步骤：制备由预定程序得到的半导体衬底；于该半导体衬底上形成一栅极氧化物层；于该栅极氧化物层上形成一包含依序为多晶硅及钨的钨聚合金属栅电极；以及在含经惰性气体或氮气稀释的氢气(H₂)的气体源环境中施行选择性氧化处理而在多晶硅的侧壁上形成选择性氧化物。

主权项

1.一种制造半导体器件的栅电极的方法，包括下列步骤：a)制备由预定程序得到的半导体衬底；b)于该半导体衬底上形成一栅极氧化物层；c)于该栅极氧化物层上形成一包含依序为多晶硅及钨的钨聚合金属栅电极；以及d)在含经惰性气体稀释的氢气(H2)的气体源环境中施行选择性氧化处理而在多晶硅的侧壁上形成选择性氧化物。