| 发明名称 | 高压组件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种高压组件，包括一基底、第一及第二井区、栅极、以及第一、第二及第三掺杂区。基底具有一第一型导电性；第一及第二井区形成于基底中，分别具有第一及第二型导电性；栅极形成于基底上；第一及第二掺杂区均具有第二型导电性，分别形成于第一及第二井区中，以与栅极的两侧；第三掺杂区具有第一型导电性，形成于第一井区中且与第一掺杂区连接。 | ||
| 申请公布号 | CN1577892A | 申请公布日期 | 2005.02.09 |
| 申请号 | CN200410062438.9 | 申请日期 | 2004.07.07 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 宋自强;徐振富 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8234 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
| 主权项 | 1、一种高压组件，包括：一基底，具有一第一型导电性；一第一及第二井区，形成于该基底中，分别具有该第一及一第二型导电性；一栅极，形成于该基底上；一第一及第二掺杂区，均具有该第二型导电性，分别形成于该第一及第二井区中，以及该栅极的两侧；以及一第三掺杂区，具有该第一型导电性，形成于该第一井区中且与该第一掺杂区连接。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||