半导体激光器及其生产方法

摘要

在一种AlGaInP半导体激光器中，在半导体衬底上至少形成第一导电型第一包层、有源层和第二导电型第二包层。第二包层在与衬底反向相对的一侧上形成条带形的脊，在脊的两侧上设置第一导电型电流阻碍层。第一导电型电流阻碍层相对于半导体衬底的晶格失配率为－0.20％或者更大，但不超过0％。该晶格失配率在电流阻碍层内可以是均匀的。可选择地，该晶格失配率可以随着该电流阻碍层与第二导电型第二包层中除脊之外的部分的距离增加而连续或逐渐增加。

主权项

1.一种AlGaInP半导体激光器，其至少包括形成在半导体衬底上的第一导电型第一包层、有源层和第二导电型第二包层，所述第二导电型第二包层在与衬底反向相对的一侧上具有条带形脊，所述激光器具有在该脊的横向两侧上形成的第一导电型电流阻碍层，其中第一导电型电流阻碍层相对于半导体衬底的晶格失配率为-0.20％或者更大，但不超过0％。