具有凹入的栅极电极的半导体器件的集成方法

摘要

本发明的实施例涉及集成电路器件和形成器件的方法。在本发明的一些实施例中，在单个衬底上形成两种类型的晶体管，具有凹入栅极的晶体管和具有平面栅极电极的晶体管。在其它实施例中，在同一个衬底的多个区域中形成具有凹入栅极的晶体管。此外，在多于一个区中的晶体管的栅极可以同时形成。

主权项

1.一种在具有单元区和与单元区分离的外围电路区的半导体衬底中形成存储器件的方法，该方法包括：在单元区内的衬底中形成凹入栅极孔；在凹入栅极孔和外围区中形成栅极氧化物层；在单元区和外围区中的栅极氧化物层上形成栅极层；以及同时构图栅极层和栅极氧化物层，以便在单元区中形成凹入单元栅极结构，在外围区中形成平面单元栅极结构。