| 发明名称 | 耐等离子体构件 | ||
| 摘要 | 一种耐等离子体构件，它具有一种基底材料和一层Y<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>制成的涂层，所述涂层在上述基底材料的一个表面上形成。该涂层具有一厚度为10μm或大于10μm，并且涂层的Y<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>含有在100ppm－1000ppm范围内的固溶体Si。 | ||
| 申请公布号 | CN1576257A | 申请公布日期 | 2005.02.09 |
| 申请号 | CN200410070358.8 | 申请日期 | 2004.07.29 |
| 申请人 | 东芝陶瓷股份有限会社 | 发明人 | 小林庆朗;市岛雅彦;横山优 |
| 分类号 | C04B35/00;C04B35/50;H01L21/3065;H01L21/205;C23F4/00;B01J19/02 | 主分类号 | C04B35/00 |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 马江立;吴鹏 |
| 主权项 | 1.一种耐等离子体构件，包括：一种基底材料；及一种用Y2O3制成的涂层，所述涂层形成在所述基底材料的一个表面上，其中所述涂层具有10μm或10μm以上的厚度，及所述涂层的Y2O3含有在100ppm-1000ppm范围内的固溶体Si。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||