| 发明名称 | 用于制备半导体的加热装置 | ||
| 摘要 | 提供一种用于制备半导体的加热装置，其可以均匀地加热待处理的晶片或其它材料，并且具体而言，提供一种用于在涂布机显影装置中热硬化光刻法用树脂薄膜和用于热煅烧低介电常数绝缘薄膜的加热装置，该装置包含：在其中嵌有电阻加热元件(2)的陶瓷支架(1)，其支持和加热处理材料如晶片(6)，支撑所述的陶瓷支架(1)的筒状支撑构件(4)，和容纳支架(1)和支撑构件(4)的室(5)，其中筒状支撑构件(4)的气氛与室(5)中的气氛通过消除由陶瓷支架(1)的气密密封或通过控制气体的吸入与排出而相互保持基本相同。 | ||
| 申请公布号 | CN1579007A | 申请公布日期 | 2005.02.09 |
| 申请号 | CN03801379.7 | 申请日期 | 2003.02.26 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 柊平启;夏原益宏;仲田博彦 |
| 分类号 | H01L21/027;H05B3/74;H01L21/02 | 主分类号 | H01L21/027 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 程金山 |
| 主权项 | 1.一种用于制备半导体的加热装置，其包含：在其中嵌有电阻加热元件的板状陶瓷支架，所述支架在其表面上支持和加热待处理的材料；筒状支撑构件，其在除了支持待处理材料的表面以外的位置支撑所述的陶瓷支架；和容纳所述的陶瓷支架和支撑构件的室；其中在筒状支撑构件内形成的空间中的气氛保持为与室中的气氛基本相同。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||