| 发明名称 | 包含多层栅绝缘体的有机薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种有机薄膜晶体管(OTFT)，包括：顺序地形成在衬底上的栅电极、栅绝缘膜、有机有源层和源/漏电极，或者栅电极、栅绝缘膜、源/漏电极和有机有源层，其特征在于该栅绝缘膜是多层绝缘体，所述多层绝缘体包含高介电材料的第一层和能与该有机有源层相容的绝缘有机聚合物的第二层，所述第二层被直接放置在该有机有源层之下。本发明所述OTFT显示了低阈值和驱动电压、高电荷迁移率、高I<SUB>on</SUB>/I<SUB>off</SUB>值，并且，还能通过湿法工艺制备。 | ||
| 申请公布号 | CN1577912A | 申请公布日期 | 2005.02.09 |
| 申请号 | CN200410062148.4 | 申请日期 | 2004.07.02 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李相润;朴钟辰;柳利烈;边煐勋;具本原;姜仁男 |
| 分类号 | H01L51/20;H01L51/30;H01L29/786 | 主分类号 | H01L51/20 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 封新琴;巫肖南 |
| 主权项 | 1.一种有机薄膜晶体管，包含：顺序地形成在衬底上的栅电极、栅绝缘膜、有机有源层和源/漏电极，或者栅电极、栅绝缘膜、源/漏电极和有机有源层，其中所述栅绝缘膜是多层绝缘体，其包含第一层高k值材料和能与有机有源层相容的第二层绝缘有机聚合物，所述第二层被直接放置在该有机有源层之下。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||