磁阻设备的制造方法

摘要

一种改进在磁存储器单元(至少20，80)的至少一个组成层(至少21－25)内<111>晶体结构生长的方法。所述方法包括下列步骤，以足够高的离子能量水平施用所述至少一个组成层，以使得至少一个组成层的排列达到所述<111>晶体结构的高的质量等级。

主权项

1.一种在磁存储器单元的至少一个组成层内改进<111>晶体结构的生长的方法，所述方法包括以足够高的离子能量水平向所述存储单元(至少20，80)中施用至少一个组成层(至少21-25)，其中足够高的离子能量水平使得所述至少一个组成层的排列达到所述<111>晶体结构的高的质量等级。