| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种工作特性优良、缺陷能级极少的薄膜晶体管的制造方法。该方法包括：在绝缘性衬底(1)上，形成氮化硅膜(2)和氧化硅膜(3)构成的内涂敷膜的步骤；在内涂敷膜上形成非晶硅膜(10)的步骤；在硅膜(10)上形成氧化硅膜(11)构成的界面保护膜的步骤；向形成了界面保护膜的衬底照射YAG激光，对硅膜(10)进行激光退火的步骤；对激光退火后的硅膜(4)进行构图的步骤；以及在构图后的衬底上形成氧化硅膜(5)构成的栅绝缘膜的步骤；其中，在真空室内一边保持真空状态一边依次形成内涂敷膜、非晶硅膜(10)和界面保护膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1577773A | 申请公布日期 | 2005.02.09 |
| 申请号 | CN200410059045.2 | 申请日期 | 2004.07.29 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 内田祐介;寺元弘;须贺原和之;竹口徹 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L21/20;H01L21/02;H01L29/786;G02F1/136 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：在衬底上形成非晶硅膜的硅膜形成步骤；在所述硅膜上形成界面保护膜的界面保护膜形成步骤；向形成了所述界面保护膜的衬底照射激光，对所述硅膜进行退火的激光退火步骤；以及在激光退火后的衬底上形成栅绝缘膜的栅绝缘膜形成步骤；其特征在于，一边保持真空状态一边依次形成所述硅膜和界面保护膜。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||