发明名称 光学膜积层芯片的制法
摘要 一种制造光学膜积层片的方法,沿着与第三边(BC)相交的切断线及与第四边(AD)相交的第二切断线切断其第一边(AB)及第二边(DC)对其光轴平行或垂直的第一光学膜片(ABCD),获得第一光学膜切片(AEFCGH),其次,把得到的第一光学膜切片在第二光学膜带状体上积层,第一边(EF)及第二边(HG)沿着第二光学膜带状体的两缘边,同时把第二光学膜带状体沿第一光学膜切片的形状切断,得到光学膜积层体,最终切断它,得到光学膜积层片。
申请公布号 CN1188716C 申请公布日期 2005.02.09
申请号 CN00135967.3 申请日期 2000.12.19
申请人 住友化学工业株式会社 发明人 竹本常二
分类号 G02B5/30;B29D9/00 主分类号 G02B5/30
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 刘宗杰;叶恺东
主权项 1.一种光学膜积层片(9)的制法,其中该光学膜积层片包括第一边(AB)、第二边(DC)、第三边(BC)及第四边(AD),其中第一边(AB)及第二边(DC)相互平行,该光学膜积层片是由平行或垂直于其光轴(10)的第一光学膜片(3)和光轴(20)平行或垂直于其长度方向的第二光学膜带状体(21)而制造的第一光学膜(19)和第二光学膜(29)积层的方形光学膜积层片(9),所述方法的特征在于:(i)获得第一光学膜片(3),(ii)沿着与第三边(BC)相交的第一切断线(C1)切断第一光学膜片(3),该切断线(C1)对第一边(AB)构成一个角度(φ1),该角度与第二光学膜的光轴(20)对于光学膜积层片(9)上的第一光学膜光轴(10)的相对角度(θ)或(θ+90°)相等,同时,对该切断线(C1)空出与第二光学膜带状体宽(W2)相等的平行的距离,沿着与第四边(AD)相交的切断线(C2)切断,获得具有沿着第一切断线(C1)切断形成的第一边(EF)、沿着第二切断线(C2)切断形成的第二边(HG)、与第一光学膜片(3)的第三边(BC)的一部分对应的第三边(FC)以及与第一光学膜片(3)的第四边(AD)的一部分对应的第四边(AH)的第一光学膜切片(4),其中第一边(EF)及第二边(HG)对该第一光学膜切片的光轴(10)构成(θ)或(θ+90°)角;(iii)所获得的第一光学膜切片(4)在第二光学膜带状体(21)上积层,使第一光学膜切片(4)的第一边(EF)及第二边(HG)与光学膜带状体(21)的两缘边(IJ,KL)重合,同时沿着第一光学膜切片(4)的形状切断第二光学膜带状体(21),获得具有与第一光学膜切片(4)的第一边(EF)对应的第一边(EF)、与第一光学膜切片(4)的第二边(HG)对应的第二边(HG)、与第一光学膜切片(4)的第三边(FC)对应的第三边(FC)以及与第一光学膜切片(4)的第四边(AH)对应的第四边(AH)的光学膜积层体(5),其中第一边(EF)及第二边(HG)平行或垂直于第二光学膜的光轴(20);(iv)切断获得的光学膜积层体(5)。
地址 日本大阪府