| 发明名称 |
STRUCTURE SEMICONDUCTEUR-SUR-ISOLANT CONTRAINTE AYANT UNE TENUE DES CONTRAINTES AUX HAUTES TEMPERATURES |
| 摘要 |
<P>L'invention concerne une structure de semi-conducteur sur isolant, comprenant une partie en matériau semiconducteur et une partie en matériau électriquement isolant, solidaires l'une de l'autre, des contraintes élastiques étant présentes dans la partie en matériau semiconducteur.La partie en matériau électriquement isolant présente une température de viscosité TG supérieure à la température de viscosité TG SiO2 du SiO2.L'invention concerne en outre un procédé de réalisation de cette structure de semiconducteur-sur-isolant.</P>
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| 申请公布号 |
FR2858460(A1) |
申请公布日期 |
2005.02.04 |
| 申请号 |
FR20030009377 |
申请日期 |
2003.07.30 |
| 申请人 |
S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES |
发明人 |
GHYSELEN BRUNO;AULNETTE CECILE;RAYSSAC OLIVIER |
| 分类号 |
H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/20 |
主分类号 |
H01L21/762 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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