| 摘要 |
<P>Un mode de réalisation de l'invention fournit un circuit et un procédé destinés à améliorer la tolérance au bruit dans des circuits de mémoire multiprocessus. Un PFET est ajouté à l'entrée de réception de chaque cellule de mémoire. La grille du PFET est connectée à la sortie de la cellule de mémoire, et la source du PFET est connectée au signal de commande de la cellule de mémoire. Dans le cas où la ligne de données est chargée à un niveau proche de la masse, et où une cellule de mémoire, ayant une valeur haute, est lue, et où le signal de commande est haut, la tolérance au bruit est améliorée par l'ajout du PFET à la cellule de mémoire. L'invention n'introduit pas de conflits supplémentaires de maintien de tension pendant les écritures, lorsque le signal de commande est bas.</P>
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