| 摘要 |
<p>Bei einem Verfahren zur Herstellung von ITO-Schichten auf Substraten, insbesondere für die Produktion von organischen Leuchtdioden, wird zuerst eine ITO-Schicht mit einer Teildicke durch Sputtern bei einem gesteuerten Temperaturprofil derart aufgebracht, dass die Ausbildung von Kristallisationskeimen unterbleibt, wonach das teilbeschichtete Substrat auf eine Temperatur oberhalb der Rekristallistionstemperatur der ITO-Schicht aufgeheizt und schließlich die restliche ITO-Schicht aufgesputtert wird.</p> |
