发明名称 |
Nonvolatile memory cells with buried channel transistors |
摘要 |
In a nonvolatile memory cell (110), the select gate transistor is formed as a buried channel transistor to increase the transistor current.
|
申请公布号 |
US2005024961(A1) |
申请公布日期 |
2005.02.03 |
申请号 |
US20030632155 |
申请日期 |
2003.07.30 |
申请人 |
DING YI |
发明人 |
DING YI |
分类号 |
G11C7/00;G11C16/04;H01L21/8247;H01L27/105;H01L27/115;(IPC1-7):G11C7/00 |
主分类号 |
G11C7/00 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|