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Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Gate-Struktur mit den Schritten bereit: Abscheiden zumindest einer Opfer-Schicht (12, 13) auf einem Halbleitersubstrat (10); Strukturieren der zumindest einen Opfer-Schicht (12, 13) unter Bildung zumindest einer Ausnehmung (14) in der zumindest einen Opfer-Schicht (12, 13) zum Freilegen des Halbleitersubstrats (10); Bilden eines Seitenwandspacers (18, 19) über den Seitenwänden der zumindest einen Opfer-Schicht (12, 13) in der zumindest einen Ausnehmung (14); Bilden eines Gate-Dielektrikums (17) auf dem Halbleitersubstrat (10) in der Ausnehmung (14); Vorsehen einer Gate-Elektrode (20) in der zumindest einen Ausnehmung (14) in der zumindest einen Opfer-Schicht (12, 13) und Entfernen der zumindest einen Opfer-Schicht (12, 13) zum Freilegen der von dem Seitenwandspacer (18, 19) umgebenen Gate-Elektrode. Die vorliegende Erfindung stellt ebenfalls eine Halbleitervorrichtung bereit.
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