发明名称 | 半导体激光器件 | ||
摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器件,其具有光滑的解理面。所公开的激光器件包括电流注入脊和邻近该电流注入脊形成的力分散脊,该些脊从平台结构的上表面凸出。平台结构由多重半导体材料层形成,该些层包括激光谐振层和设置在谐振层之上和之下的包层。在解理激光器件时,电流注入脊和力分散脊分散了刻划力,从而获得了光滑的解理面。在焊接倒装芯片时,由于力的分散而防止了电流注入脊中的缺陷。 | ||
申请公布号 | CN1574516A | 申请公布日期 | 2005.02.02 |
申请号 | CN200410038474.1 | 申请日期 | 2004.04.28 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 崔光基;郭凖燮 |
分类号 | H01S5/00 | 主分类号 | H01S5/00 |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
主权项 | 1.一种半导体激光器件,其包括多重半导体材料层平台结构,该平台结构具有衬底上的激光谐振层和形成于该谐振层之上和之下的包层,所述半导体激光器件包括:在该平台结构的下部与该衬底相连的圆角;电流注入脊,形成在该平台结构的上部上,并从该平台结构的上表面凸出;以及钝化层,形成在该平台结构上,并具有暴露出该电流注入脊的上表面的接触孔。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |