发明名称 互补式金属氧化物半导体AB类放大器
摘要 本发明为一种互补式金属氧化物半导体AB类放大器,其包括一可适性电平移动电路、一补偿电容及一输出晶体管对,该可适性电平移动电路则由电流镜电路、晶体二极管、开关晶体管及电流源晶体管所构成,其由串入该晶体二极管以作为偏压来驱动开关晶体管,而提供一够低的线性区电阻作为反馈,故可降低回旋电感的Q值(品质因素)并有效地抑制峰值增益的发生,维持所需的裕度增益。
申请公布号 CN1187892C 申请公布日期 2005.02.02
申请号 CN01115439.X 申请日期 2001.04.25
申请人 凌阳科技股份有限公司 发明人 庄达昌
分类号 H03F3/45 主分类号 H03F3/45
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 汤保平
主权项 1、一种互补式金属氧化物半导体AB类放大器,其特征在于,其具有一可适性电平移动电路、一补偿电容及一输出晶体管对,以接收一差动放大电路的输出,而由该可适性电平移动电路提供放大所需的直流偏压及直流放大作用,并经补偿电容的相位补偿后,由该输出晶体管对驱动输出,其中,该可适性电平移动电路包括:一电流镜电路,包括栅极相连的第一NMOS晶体管及第二NMOS晶体管;一NMOS晶体二极管,其栅极与漏极相连;一NMOS开关晶体管,其源极连接至该电流镜电路的第二NMOS晶体管的漏极,其漏极连接该电流镜电路的第一NMOS晶体管的漏极与该NMOS晶体二极管的源极,其栅极则连接该NMOS晶体二极管的栅漏极相连处;一PMOS输入放大器晶体管,其漏极连接该NMOS晶体二极管的漏极,其栅极连接一差动放大电路的输出端,其源极连接电压源;以及一PMOS电流源晶体管,其漏极连接该NMOS开关晶体管的源极,其栅极连接一偏压端,其源极连接电压源。
地址 台湾省新竹县
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