发明名称 有源矩阵衬底的制造方法及使用所述衬底的图象显示设备
摘要 本发明提供了一种用并不昂贵的装置以高吞吐量制造高性能有源矩阵衬底的方法,和使用所述有源矩阵衬底的图象显示设备。在导轨上沿着短轴方向X和长轴方向Y移动的平台上携带有玻璃衬底,其形成有无定形硅半导体膜。通过用沿着激光束的长轴方向Y具有周期性的相移掩模将脉冲激光束强度调制成线束形,同时沿着在玻璃衬底上形成的无定形硅半导体膜的调制方向任意地移动激光束进行曝光从而对膜进行结晶,可以获得多晶化的大晶粒硅膜。图象显示设备可以结合具有有源元件,例如用所述硅膜形成的薄膜晶体管的有源矩阵衬底。
申请公布号 CN1574196A 申请公布日期 2005.02.02
申请号 CN200310124570.3 申请日期 2003.12.30
申请人 株式会社日立制作所;株式会社日立显示器 发明人 佐藤健史;武田一男;斋藤雅和;后藤順;大仓理
分类号 H01L21/00;H01L21/20;G09F9/30;G09G3/00;G02F1/133 主分类号 H01L21/00
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王永刚
主权项 1.一种制造有源矩阵衬底的方法,其中用激光束对形成于有源矩阵衬底的电介质衬底上的半导体膜重复进行曝光以产生多晶半导体膜,该方法包括:对所述激光束进行强度调制;将所述激光束导向和成形为沿着至少一个方向是周期性的;和在所述半导体膜上沿着所述强度调制的周期方向随机地移动激光束的强度分布。
地址 日本东京