互补金属氧化物半导体薄膜晶体管及使用其的显示器件

摘要

一种CMOS薄膜晶体管以及使用该CMOS薄膜晶体管的显示器件改善了诸如电流迁移率和阈值电压这样的电特性。该CMOS薄膜晶体管被制造得使P型薄膜晶体管的有源沟道的方向与N型薄膜晶体管的有源沟道的方向彼此不同。包含在P型薄膜晶体管中的主晶界所呈角度使得它们相对于有源沟道方向呈大约60°至大约120°的角。包含在N型薄膜晶体管中的主晶界所呈角度使得它们呈大约－30至大约30°的角。该有源沟道形成在多晶硅中。

主权项

1.一种CMOS薄膜晶体管，包括：一P型薄膜晶体管的一有源沟道，所述的有源沟道形成在多晶硅中；一N型薄膜晶体管的一有源沟道，所述的有源沟道形成在多晶硅中；所述的P型薄膜晶体管中的主晶界；以及所述的N型薄膜晶体管中的主晶界，其中所述的P型晶体管的所述的有源沟道的方向不同于所述的N型晶体管的所述的有源沟道的方向，使得所述的P型薄膜晶体管的主晶界相对于所述的P型薄膜晶体管的有源沟道方向呈大约60°至大约120°的角，而所述的N型薄膜晶体管的主晶界相对于所述的N型薄膜晶体管的有源沟道方向呈大约-30°至大约30°的角。