用于制造半导体器件的方法

摘要

根据本发明，可以刻蚀高－k膜，以提供希望的几何形状，而不损坏硅底层材料。通过热氧化在硅衬底50上形成氧化硅薄膜52，以及在其上形成包括HfSiO_x的高介电常数绝缘膜54。此后，通过抗蚀剂层58的掩模，通过干法刻蚀分阶段有选择地除去多晶硅层56和高介电常数绝缘膜54，以及随后，通过多晶硅层56的掩模，通过湿法刻蚀有选择地除去介电常数绝缘膜54和氧化硅膜52的剩余部分。蚀刻剂溶液采用磷酸和硫酸的液体混合物。蚀刻剂溶液的温度优选等于或小于200℃，更优选等于或小于180℃。

主权项

1、一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在含硅的底层材料上形成金属硅化膜，所述金属硅化膜包含作为主要化学元素的硅、氧以及从由Hf、La、Zr和Al构成的组中挑选出来的一种、两种或更多金属性元素：以及除去所述金属硅化膜，以露出所述的底层材料，其中其中在所述金属硅化膜的所述除去的过程中，通过采用包含氧化性酸或其盐类的化学液体溶液除去所述的金属硅化膜。