| 发明名称 | 多层膜结构及采用该多层膜结构的致动元件、电容元件和滤波元件 | ||
| 摘要 | 通过在半导体基片上进行外延生长并且保持整合性，提供了一种极化作用增强的多层膜结构。这种多层膜结构包括以氧化锆为主要成分的薄层、具有简单钙钛矿结构的薄层和中间层，所述以氧化锆为主要成分的薄层使外延生长得以进行，所述具有简单钙钛矿结构的薄层的(001)面相对于所述以氧化锆为主要成分的薄层呈45°的面内旋转，并进行外延生长，所述中间层位于所述以氧化锆为主要成分的薄层和所述具有简单钙钛矿结构的薄层之间。 | ||
| 申请公布号 | CN1574357A | 申请公布日期 | 2005.02.02 |
| 申请号 | CN200410047968.6 | 申请日期 | 2004.06.09 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 近藤正雄;栗原和明 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L21/00;H01L21/316;C01G1/00 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁香兰 |
| 主权项 | 1.在半导体基片的(001)面上具有多个薄层的多层膜结构，其中，所述多层膜结构包含以氧化锆为主要成分的薄层和具有简单钙钛矿结构的薄层，所述以氧化锆为主要成分的薄层使外延生长得以进行，所述具有简单钙钛矿结构的薄层的(001)面相对于所述以氧化锆为主要成分的薄层呈45°的面内旋转，并进行外延生长。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||