| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，对于Cu布线/Low－k材料的叠层布线结构LSI，可降低对键合焊盘的损伤，确立可与现有的铝布线的LSI同样使用的窄间距焊丝键合技术。在由Cu布线/Low－k绝缘膜材料形成多层叠层布线的半导体元件中，通过全部由Cu布线层形成，直至最上层的帽盖布线，在由Cu层形成的键合焊盘部中，在其上层形成Ti(钛)膜或(钨)膜等的高熔点的中间金属层，在其上层再形成铝合金层的键合焊盘结构来实现所述技术。 | ||
| 申请公布号 | CN1574338A | 申请公布日期 | 2005.02.02 |
| 申请号 | CN200410061683.8 | 申请日期 | 2004.06.24 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 田中直敬;岩崎富生;三浦英生;中岛靖之;松泽朝夫 |
| 分类号 | H01L23/52;H01L23/48;H01L21/60;H01L21/768 | 主分类号 | H01L23/52 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括连接到以铜为主要成分的布线层且与外部电连接的外部连接焊盘部，其特征在于：所述布线层形成在介电常数比SiO低的第一层间绝缘膜上；在所述布线层上形成有第二层间绝缘膜，所述外部连接焊盘部形成在所述第二层间绝缘膜上；所述外部连接焊盘部包括第一层和形成于所述第一层上的第二层；所述第二层比所述第一层的弹性系数高。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||