半导体器件、半导体器件的制造方法和半导体器件的设计方法

摘要

使用CMP法的平坦化处理时实现芯片边缘平坦性的进一步提高。一种在半导体衬底上层叠的多个分层中的规定分层上的芯片边缘中，在切割部内侧形成由与该分层上形成的布线图型1相同材料构成的伪图型2b的半导体器件，在由伪图型2b的内缘、切割部外缘及任意2根平行线所构成的平面区域，伪图型2b的面积相对该平面区域的整个面积占到50％以上。

主权项

1.一种半导体器件，其中，在半导体衬底上层叠的多个分层中的规定分层上的芯片边缘中，在切割部内侧形成由与该分层上形成的布线图型相同材料构成的伪图型，其特征在于，在由所述伪图型的内缘、所述切割部外缘及任意2根平行线所构成的平面区域中，所述伪图型的面积相对该平面区域的整个面积占到50％以上。