| 发明名称 | 强电介质存储元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种强电介质存储元件的制造方法包括：在形成了晶体管的衬底(10)的表面上，形成易于淀积强介质电容器部分的构件的材料的第1区域(24)，和比第1区域(24)难以淀积用于形成强介质电容器部分的材料的第2区域(26)的工序；以及对衬底(10)供给材料，在衬底(10)的第1区域(24)上形成第1电极(32)、强电介质膜(34)和第2电极(36)的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1574287A | 申请公布日期 | 2005.02.02 |
| 申请号 | CN200410039795.3 | 申请日期 | 2000.06.02 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 下田达也;西川尚男 |
| 分类号 | H01L21/82;H01L21/8239;H01L27/10 | 主分类号 | H01L21/82 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 浦柏明;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种强电介质存储元件的制造方法，所述存储元件具备有基体材料、第1电极、强电介质膜和第2电极的层叠结构的电容器部分，其特征是具有以下工序：在所述基体材料的第1区域上形成表面修饰膜，使所述基体材料的第2区域表面从所述表面修饰膜露出，所述表面修饰膜与所述基体材料表面比较，具有这样的表面特性，用于形成构成所述电容器部分的第1电极、强电介质膜及第2电极的至少1个构件的材料被优先堆积；提供用于构成所述电容器部分的至少一个构件的材料，在所述第1区域上选择性地形成该构件。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||