半导体存储元件的制造方法

摘要

本发明提供一种制造半导体存储元件、特别是DRAM或FRAM元件的方法，该半导体存储元件具有硅衬底、设置在所述衬底上的中间氧化物层(1)、由铁电材料制成或由具有高介电常数的材料制成并设置在所述中间氧化物层上的上层(3)、借助用穿孔掩模中的开口(5)进行的刻蚀引入的延伸到硅衬底和上层之间的接触孔，在预先步骤中形成该接触孔。对于穿孔掩模，使用由在高温下稳定的材料制成，以便在高温下精确稳定，因而可在该层上依次淀积O₃/TEOS-SiO₂，而没有损伤该层。利用穿孔掩模对中间氧化物层(1)进行刻蚀，以便形成凹槽(8’)。在由此得到的结构上淀积由O₃/TEOS-SiO₂制成的层。通过刻蚀，从凹槽(8’)底部去掉由O₃/TEOS-SiO₂制成的层，然后为了形成直到与硅衬底的界面的接触孔，通过刻蚀降低凹槽(8’)，露出后者。

主权项

1、一种制造用于半导体存储元件的接触孔的方法，该半导体存储元件具有硅衬底、设置在所述衬底上的中间绝缘层(1)、设置在所述中间绝缘层上并由铁电材料制成或由钛酸钡锶制成的上层(3)，该方法包括以下步骤：在上层(3)上形成穿孔掩模，在后来淀积工艺期间呈现温度稳定性的材料用于穿孔掩模；利用穿孔掩模，向中间绝缘层(1)中刻蚀上层(3)和凹槽(8’)，直到残余厚度；在后来的淀积工艺中，在由此获得的包括穿孔掩模的结构上淀积由O3/TEOS-SiO2制成的层；通过刻蚀，从凹槽(8’)的底部去掉由O3/TEOS-SiO2制成的层；和在上述的去掉步骤之后，为了产生直到硅衬底的界面的接触孔，通过刻蚀来降低凹槽(8’)，其中在刻蚀期间由O3/TEOS-SiO2制成的层用做上层(3)的侧向密封剂。