| 发明名称 | 薄膜装置的制造方法、电光学装置和电子设备 | ||
| 摘要 | 一种薄膜装置的制造方法、电光学装置和电子设备，所述薄膜装置的制造方法包括：在第一基板(11)上使用根据光刻法的图像形成工艺形成细微构造体或薄膜电路层(30)的过程(图1(a))；将细微构造体或薄膜电路层从第一基板移动到第二基板(42)，或经第三基板(33)从第一基板移动到第二基板(42)的过程(图1(b)～图2(b))；在移动到第二基板上的上述细微构造体或上述薄膜电路层上使用非光刻法形成薄膜图案(51～52)的过程(图3(a)～该图(d))。利用本发明的转移技术，即使在形状稳定性差的基板上转移形成细微构造体或薄膜电路层情况下，也可不降低所制造的薄膜装置的尺寸精度。 | ||
| 申请公布号 | CN1574202A | 申请公布日期 | 2005.02.02 |
| 申请号 | CN200410044683.7 | 申请日期 | 2004.05.19 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 宇都宫纯夫 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L27/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1、一种薄膜装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在第一基板上使用根据光刻法的图案形成工艺形成细微构造体或薄膜电路层的步骤；将所述细微构造体或薄膜电路层从所述第一基板转移到第二基板上，或经第三基板从所述第一基板转移到所述第二基板的步骤；在转移到所述第二基板上的细微构造体或薄膜电路层上使用非光刻法对所述薄膜电路层施加附加工艺的步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||