双向阻挡型耐高压平面型器件

摘要

本发明涉及一种双向阻挡型耐高压平面型器件，在该器件中，必须要求采用用于提高主结和反向PN结与主表面氧化膜接触处的击穿电压的结构。即，采用下述的方法，其中，在从主PN结，以及反向PN结的P层露出表面的地方，取出电极，分别在氧化膜上，按照跨过PN结的方式使电极伸出。另外，为了确保可靠性，在表面，在PN结端部的中间，形成沟道阻止层。由此，芯片尺寸增加，有效面积比率减少。本发明在于抑制该芯片面积的增加，增加有效面积率。通过下述的结构，解决上述课题，在该结构中，主阴电极和从表面取出的反向电极按照跨过PN结的方式在氧化膜上伸出，并且不形成沟道阻止层，使两个伸出电极的相反侧的阻挡层，具有沟道阻止效果。

主权项

1.一种双向阻挡型耐高压平面型器件，其特征在于从与硅片的主表面接触而设置的主PN结和周边PN结的P型区域，分别伸出电极，在PN结上的氧化膜上，阻挡层按照在针对其击穿电压，相反侧的伸出电极下的区域，或在距其端部100μm以下的范围内延伸的方式构成，该阻挡层从其表面与PN结接触的线，沿N型衬底表面，按照一定间距的间隔，将其上的氧化膜全部覆盖而伸出，另外，从相应的PN结的表面氧化膜接触的部分，沿N型衬底表面而延伸。