发明名称 | 用于离子注入的方法和装置 | ||
摘要 | 这项发明提供用于诸如半导体晶片之类的工件的受控的离子注入的方法和装置。这种方法包括产生离子束,让离子束在第一方向扫过工件以产生扫描线,在第二方向相对于离子束这样平移工件,以致扫描线以及标准的空间频率分布在工件上,从而获得工件的剂量图,以如果所获得的剂量图不在技术要求范围之内而且必要的剂量修正少于能用扫描线的标准空间频率获得的最小剂量修正则开始剂量修正注入并且在剂量修正期间控制扫描线的空间频率。 | ||
申请公布号 | CN1575503A | 申请公布日期 | 2005.02.02 |
申请号 | CN02814496.1 | 申请日期 | 2002.05.23 |
申请人 | 瓦里安半导体设备联合公司 | 发明人 | 杰伊·T·舒尤尔;格雷戈里·R·杰比拉热 |
分类号 | H01J37/317 | 主分类号 | H01J37/317 |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 过晓东 |
主权项 | 1.一种适合工件的离子注入的方法,其中包括:产生离子束;让离子束在第一方向扫过的工件,以产生扫描线;在第二方向相对于离子束平移工件,以致使扫描线分布在工件上,以及依照预期的剂量图控制工件上的扫描线的空间频率。 | ||
地址 | 美国马萨诸塞州 |