发明名称 | 半导体光接收器件 | ||
摘要 | 一种半导体光接收器件具有在其前侧面包括上、中和下区域的衬底。在下区域的p型层具有一个顶表面,该顶表面包括和中区域同一高度水平的一部分。一个电极覆盖p型层的一部分和中区域之间的边界的至少一部分。在p型层上的n型层具有一个包括和上区域同一高度水平的一部分的顶表面。另一个电极覆盖n型层的一部分和上区域之间的边界的至少一部分。 | ||
申请公布号 | CN1574376A | 申请公布日期 | 2005.02.02 |
申请号 | CN200410048995.5 | 申请日期 | 2004.06.14 |
申请人 | 浜松光子学株式会社 | 发明人 | 新垣实;中嶋和利 |
分类号 | H01L27/14;H01L31/10 | 主分类号 | H01L27/14 |
代理机构 | 上海市华诚律师事务所 | 代理人 | 徐申民 |
主权项 | 1.一种半导体光接收器件,其特征在于,该装置包括:具有一个前侧面的半绝缘衬底,所述前侧面包括上、中、下区域,下区域与上区域和中区域相连;设置在下区域的p型第一半导体层,所述第一半导体层有一个顶表面,所述顶表面包括和中区域邻接并基本在同一水平的第一部分,以及与第一部分在同一水平或高于第一部分的第二部分;设置在第一半导体层上的n型第二半导体层,所述第二半导体层有一个顶表面和一个底表面,所述顶表面包括和上区域邻接并基本在同一水平的第三部分;覆盖中区域和第一部分之间的边界的至少一部分的第一电极,所述第一电极和第一半导体层电接触;覆盖上区域和第三部分之间的边界的至少一部分的第二电极,所述第二电极和第二半导体层电接触。 | ||
地址 | 日本静冈县 |