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发明名称 SOI FIELD EFFECT TRANSISTOR ELEMENT HAVING A RECOMBINATION REGION AND METHOD OF FORMING SAME
摘要
申请公布号 KR20050013163(A) 申请公布日期 2005.02.02
申请号 KR20047021322 申请日期 2003.06.24
申请人 发明人
分类号 H01L21/336;H01L29/786 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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