发明名称 半导体存储器件
摘要 一种半导体存储器件,包括:位线对,连接多个存储单元;多个预充电电路,用于将所述位线对预充电至与高电平和低电平的平均值不同的第1电压;位线预充电电源线(VBP[0]),用于将预充电的所述第1电压供给所述预充电电路;电容器(200);充电部件(201),对所述电容器充电;以及传输门电路(202,203),控制所述电容器和所述位线预充电电源线的连接与断开。控制所述传输门电路,使得在所述位线对的预充电时所述电容器和所述预充电电源线相连接。可以高速高精度地进行位线的预充电。
申请公布号 CN1187832C 申请公布日期 2005.02.02
申请号 CN02152734.2 申请日期 2002.11.20
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 折笠宪一;大田清人;广濑雅庸
分类号 H01L27/10;G11C11/34 主分类号 H01L27/10
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 刘宗杰;叶恺东
主权项 1.一种半导体存储器件,包括:多个存储单元;连接所述存储单元的位线对;按照第1控制信号将所述位线对预充电至与高电平和低电平的平均值不同的第1电压的多个预充电电路;将预充电的电压供给所述预充电电路的位线预充电电源线;与所述位线预充电电源线连接并向该位线预充电电源线供给所述第1电压的电压发生电路,其特征在于,还具有:第1电容器;将所述第1电容器充电至外部电源的电平的充电部件;控制所述第1电容器和所述位线预充电电源线的连接与断开的传输门电路;以及控制所述充电部件和所述传输门电路的第1控制电路,所述第1控制电路控制所述传输门电路,使得在所述位线对的预充电时,根据第2控制信号来连接所述第1电容器和所述位线预充电电源线。
地址 日本大阪府门真市