| 发明名称 | 用于提高MOS性能的引入栅极的应变 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种装置，所述装置包括：定义出所述装置的内部的衬底；比所述衬底更靠外部的器件，所述器件包括栅电极；和比所述器件更靠外部且比所述衬底更靠外部的应变层。 | ||
| 申请公布号 | CN1574395A | 申请公布日期 | 2005.02.02 |
| 申请号 | CN200410048245.8 | 申请日期 | 2004.06.14 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | 托马斯·霍夫曼;斯蒂芬·M·塞亚;马丁·D·贾尔斯 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8234 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人 | 王怡 |
| 主权项 | 1.一种装置，包括：衬底；位于所述衬底上的器件，包括位于所述衬底的表面上方的栅电极；和被沉积在所述栅电极上方的应变材料。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||