发明名称 |
溅射源、溅射装置和溅射方法 |
摘要 |
在本发明中,当靶(15)被溅射时,由于各个靶(15)相对基板(10)移动,溅射时基板(10)的全部区域变为都与靶(15)相对,可在基板(10)的表面上形成膜质均匀的膜。另外,在溅射时,由于不仅靶(15)相对基板(10)移动,磁场形成装置(25)也相对靶(15)移动,因此靶(15)的很宽区域被溅射。进而,如果使磁场形成装置(25)也相对基板(10)移动,则靶(15)就变为大部分被溅射的区域相对基板(10)移动,以使基板(10)上形成的膜的膜厚分布更均匀。 |
申请公布号 |
CN1572900A |
申请公布日期 |
2005.02.02 |
申请号 |
CN200410045720.6 |
申请日期 |
2004.05.21 |
申请人 |
株式会社爱发科 |
发明人 |
佐藤重光;末代政辅;大空弘树;清田淳也;中村肇;石桥晓;太田淳 |
分类号 |
C23C14/35;H01L21/203 |
主分类号 |
C23C14/35 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
刘宗杰;叶恺东 |
主权项 |
1.一种多个靶一起被溅射的溅射源,其特征在于,该溅射源在靶安装板的表面配置多根细长阳极电极,在上述阳极电极和上述阳极电极之间的位置上配置阴极电极,上述各个靶被配置在上述阴极电极上,在上述靶安装板的背面侧,上述各靶的正背面位置上分别配置磁场形成装置,上述各阳极电极和上述各靶相对于上述靶安装板被固定,上述各磁场形成装置和上述靶安装板构成为可相对移动。 |
地址 |
日本神奈川县 |