| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件包含：带有开口部分的第1绝缘膜；被有选择地形成在上述开口部分内的电容器；至少被形成在上述开口部分内的第2绝缘膜；以及被形成在上述第2绝缘膜上的笫3绝缘膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1187823C | 申请公布日期 | 2005.02.02 |
| 申请号 | CN02106886.0 | 申请日期 | 2002.03.07 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 吉富崇;中岛雄一 |
| 分类号 | H01L27/00;H01L21/70;H01L21/31;H01L21/3105 | 主分类号 | H01L27/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包含：第1绝缘膜，带有开口部分；电容器，被有选择地形成在上述开口部分内；第2绝缘膜，至少被形成在上述开口部分内；第3绝缘膜，被形成在上述第2绝缘膜上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||