| 发明名称 | 在有机发光二极管器件中提供发射保护层 | ||
| 摘要 | 具有改善性能的有机发光器件，包括在基材上形成的阳极；在阳极上形成的空穴传输层；在空穴传输层上形成的响应于空穴电子复合而产生光的发光层。该有机发光器件还包括在发光层上形成的发射保护层，其中发射保护层包括一种或多种选择的材料以抵制有机发光层上的表面污染，并保证表面污染小于没有提供该层时；在发射保护层上形成的电子传输层；和在电子传输层上形成的阴极。 | ||
| 申请公布号 | CN1575072A | 申请公布日期 | 2005.02.02 |
| 申请号 | CN200410038705.9 | 申请日期 | 2004.04.30 |
| 申请人 | 伊斯曼柯达公司 | 发明人 | L·－S·廖;K·P·克卢贝克;D·L·康福特 |
| 分类号 | H05B33/22;H05B33/20;H05B33/14 | 主分类号 | H05B33/22 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘维升;杨九昌 |
| 主权项 | 1.具有改善性能的有机发光器件，包含：a)在基材上形成的阳极；b)在阳极上形成的空穴传输层；c)在空穴传输层上形成的用于响应于空穴电子复合而产生光的发光层；d)在发光层上形成的发射保护层，其中发射保护层包括一种或多种选择的材料以抵制有机发光层上的表面污染，并保证表面污染小于没有提供该层时；e)在发射保护层上形成的电子传输层；和f)在电子传输层上形成的阴极。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||