半导体装置及开关元件

摘要

一种半导体装置。现有单片双型MOSFET是并列两个MOSFET的芯片，使漏极电极短路的结构，故安装面积大，也不能降低漏极电极间的电阻，市场要求的小型化、薄型化也有限。本发明的半导体装置将两个MOSFET的半导体芯片的漏极电极之间直接连接，将两芯片重叠。在双型MOSFET中，不需要将漏极电极导出至外部，仅是两个栅极端子及两个源极端子，故将这四端子利用引线架或导电图案导出至外部。由此可实现装置的小型化及低导通电阻化。

主权项

1、一种半导体装置，其特征在于，将两个具有表面电极及背面电极的半导体芯片的背面电极之间直接连接，将所述两芯片重叠，将所述两芯片的表面电极导出至外部。