| 发明名称 | 用于清洗半导体基质上无机残渣含有铜特效腐蚀抑制剂的含水清洗组合物 | ||
| 摘要 | 一种半导体晶片清洗制剂，其含有按重量计为1－35％的氟化物源，按重量计为20－60％的有机胺，按重量计为0.1－40％的含氮组分如含氮羧酸或亚胺，按重量计为20－50％的水，及按重量计为0－21％的金属螯合剂。该制剂用于在抗蚀剂等离子体灰化步骤后从晶片上去除残渣，如从含有精细铜互连结构的半导体晶片上去除无机残渣。 | ||
| 申请公布号 | CN1575328A | 申请公布日期 | 2005.02.02 |
| 申请号 | CN02820935.4 | 申请日期 | 2002.10.17 |
| 申请人 | 高级技术材料公司 | 发明人 | 威廉·A·沃伊特恰克;法蒂玛·玛·塞若;大卫·贝恩哈德;隆·阮 |
| 分类号 | C09K13/00;C09K13/02;C09K13/04;C09K13/06;C09K13/08;H01L21/302 | 主分类号 | C09K13/00 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 郭国清;樊卫民 |
| 主权项 | 1.一种CMP后的清洗制剂，含有有机胺、氟化物源及70％～98％的水。 | ||
| 地址 | 美国康涅狄格州 | ||