| 发明名称 | 半导体器件的制造方法和半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法和半导体器件。提供在具有使用氮化膜作为电荷存储层的非易失性存储器的半导体器件中可以提高可靠性，特别是可以提高数据保持性的技术。在衬底(1)的第1区域上中间隔着栅极绝缘膜(3)地形成选择用nMISQnc的控制栅极电极(CG)，在第2区域上中间隔着绝缘膜(6b)，并使其含氢浓度小于或等于10<SUP>20</SUP>cm<SUP>－3</SUP>地形成存储器用nMISQnm的电荷存储层(CSL)，并在形成了绝缘膜(6t)之后，在第2区域上中间隔着绝缘膜(6b、6t)和电荷存储层(CSL)地形成存储器用nMISQnm的存储器栅极电极(MG)，向选择用nMISQnc和存储器用nMISQnm邻接的区域注入杂质，形成构成存储单元的漏极区域(Drm)和源极区域(Srm)的半导体区域(2a)。 | ||
| 申请公布号 | CN1574298A | 申请公布日期 | 2005.02.02 |
| 申请号 | CN200410037992.1 | 申请日期 | 2004.05.14 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 佐藤英纪;冈崎勉 |
| 分类号 | H01L21/8247;H01L21/336;H01L27/115;H01L29/792 | 主分类号 | H01L21/8247 |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 季向冈 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，上述半导体器件具有在半导体衬底的主平面的第1区域含有第1场效应晶体管、在第2区域含有与上述第1场效应晶体管邻接的第2场效应晶体管的非易失性存储单元，其特征在于：具有(a)在上述第1区域上形成第1绝缘膜的步骤；(b)在上述第1区域上，中间隔着第1绝缘膜地形成第1场效应晶体管的第1栅极电极的步骤；(c)在上述第2区域上形成第2绝缘膜的步骤；(d)在上述第2区域上中间隔着第2绝缘膜、使其含氢浓度小于或等于1020cm-3地形成第2场效应晶体管的电荷存储层的步骤；(e)在上述第2区域上中间隔着上述第2绝缘膜和上述电荷存储层地形成上述第2场效应晶体管的第2栅极电极的步骤；(f)向上述第1场效应晶体管和上述第2场效应晶体管邻接的区域，注入杂质形成第1导电型杂质区域的步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||