半导体存储器

摘要

本发明的课题是得到一种耐软错误性高的半导体存储器。该半导体存储器备有SRAM存储单元。NMOS晶体管Q1、Q4是驱动用晶体管，NMOS晶体管Q3、Q6是传输用晶体管，PMOS晶体管Q2、Q5是负载晶体管。NMOS晶体管Q7是为了附加电阻用的晶体管。NMOS晶体管Q7的栅极被连接在电源1上。并且，NMOS晶体管Q7的源、漏极中的一方被连接在存储节点ND1上，另一方被连接在NMOS晶体管Q4及PMOS晶体管Q5的各栅极上。NMOS晶体管Q7的源-漏间的电阻可以通过栅长度和栅宽度及源、漏的杂质浓度等进行调整，例如是数10kΩ程度。

主权项

1.一种半导体存储器，它备有静态随机存取存储单元，该静态随机存取存储单元具有通过第一存储节点相互连接的第一驱动用晶体管、第一负载元件和第一传输用晶体管；以及通过第二存储节点相互连接的第二驱动用晶体管、第二负载元件和第二传输用晶体管，上述第一驱动用晶体管具有的第一栅电极被连接在上述第二存储节点上，上述第二驱动用晶体管具有的第二栅电极被连接在上述第一存储节点上，该半导体存储器的特征在于：还备有覆盖上述第一栅电极的一部分而形成的第一保护膜，没有被上述第一保护膜覆盖部分的上述第一栅电极有在第一栅绝缘膜上依次层叠第一半导体层和第一金属-半导体化合物层的结构，被上述第一保护膜覆盖部分的上述第一栅电极有在上述第一栅绝缘膜上形成上述第一半导体层，在上述第一半导体层上不形成上述第一金属-半导体化合物层的结构。